RSS канал
Компания Самсунг Electronics на конференции Flash Memory Summit 2016 официально представила 4-ое поколение собственной технологии флэш-памяти V-NAND (Vertical NAND) и семейство твердотельных накопителей Z-SSD с увеличенной производительностью.
Южнокорейский гигант Самсунг в рамках конференции Flash Memory Summit 2016 представил четвёртое поколение энергонезависимой памяти 3D V-NAND с 64-слойной архитектурой. Устройства сделаны из блоков по 1 ТБ, которые состоят из чипов V-NAND емкостью по 512 ГБ.
По утверждению производителя, новый SSD-накопитель владеет 64-мя слоями, каждая его ячейка может хранить по три бита информации, плотность кристалла составляет 512 Гбит, а поддерживаемая им скорость передачи данных доходит 800 Мбит/с. В серийных изделиях новая память начнет появляться уже в следующем квартале.
В новом SSD расположились 512 новых микросхем V-NAND, которые сгруппированы по 16 штук в 32 корпусах. В нем применяется 512 новых микросхем V-NAND, которые сгруппированы по 16 штук в 32 корпусах.
Также компания представила однокорпусный SSD объемом 1 Тбайт в корпусе типа BGA. Фактически, по размерам этот SSD ничем не отличается от обычных накопителей подобного рода, однако есть один главный аспект: у него, как и 60-терабайтника от Seagate, нет стандартного нам всем интерфейса SATA. Эти накопители Самсунг обещает представить в будущем году. К 2020, по предположениям Самсунг, можно будет сделать твердотельные накопители объёмом 100 ТБ.