Самсунг будет выпускать 10-нанометровый флагманский чипсет для Qualcomm

Компании Самсунг Electronics и Qualcomm Technologies создали обновленный тип флагманских чипсетов Snapdragon 835, сообщает Engadget.

Одной из фишек представленного вчера Qualcomm Snapdragon 835 будет поддержка Quick Charge 4.0.

Qualcomm Snapdragon 835 на 27% мощнее и производительнее, чем Snapdragon 821 основанный на базе 14 нм тех. процессора.

Итак, Snapdragon 835 создан на 10-нм технологическом процессе FinFET и будет производиться Самсунг.

Компания анонсировала флагманский процессор Snapdragon 835.

Как обещают создатели, первые устройства на базе Snapdragon 835 выйдут на рынок уже в первой половине 2016 года. Этот чип будет на 27% производительнее 14-нм Snapdragon 821 и в то же время потреблять на 40% менее энергии. Всего пять минут требуется QC 4.0, чтобы обеспечить телефону 5 часов работы, это очень нужная фишка и характерная особенность Snapdragon 835.

В чем преимущество нового чипсета перед Snapdragon 820 и 821?

По заявлению разработчиков новая однокристальная система на 30% лучше обеспечивает удельную эффективность. Обновленная версия фирменной технологии высокоскоростной зарядки не только лишь скорее и безопаснее, однако и соответствует стандарту USB Power Delivery (USB PD). Кроме того, уменьшение размеров на 40 процентов уменьшает потребление электрической энергии.

Технология Quick Charge 4.0 предусматривает четырёхуровневую защиту от перегрева телефона в процессе зарядки, а кроме этого три ступени токовой защиты и контроля напряжения. Если оставить смартфон 15 мин., ЗУ восполнит аккумулятор на половину.

В Qualcomm уверяют, что Quick Charge 4.0 безопаснее предшественника за счет увеличения степеней защиты.

Отмечается также, что Quick Charge 4.0 совместим со стандартами USB Type-C и USB Power Delivery (USB-PD), кроме того, в нём применяется 3-я редакция алгоритма управления питанием INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), при помощи которого система автоматом подбирает более лучший для определенных температурных условий режим зарядки. Предусмотрена четырехуровневая защита от перегрева телефона и трехступенчатый контроль тока и напряжения.