RSS канал
Компания IBM собирается укоротить эту технологию вдвое, отказавшись от стандарта FinFET-архитектуры в пользу структуры стека из четырех нанослоев 5-нанометровых чипов.
До этого специалисты IBM анонсировали первые в мире 7-нм чипы, имеющие по 20 млрд. транзисторов. Как пишет Forbes, чем плотнее транзисторы упакованы на чипе, тем скорее знак может проходить между ними.
Три года назад IBM заявляла, что хочет ежегодно инвестировать в разработку чипов по 3 млрд долл. на протяжении 5-ти лет. Сейчас они объединяются в кремниевые нанолисты, которые в состоянии пересылать электроны через 4 затвора, в то время как теперешние «самые продвинутые» в состоянии работать только с тремя затворами. Отметим, что около 2-х лет назад IBM представила первые в области 7-нм микросхемы, а Самсунг очень может быть начнет отгрузку 7-нм чипов в 2016 г. Это будет особенно полезно при обработке огромных объёмов данных, связанных с интернетом вещей, когнитивными вычислениями. Устройства могут также использоваться в обыденных телефонах: за счет экономии энергопотребления аккумуляторы девайсов с такими чипами смогут работать без подзарядки в два-три раза дольше предшественников. В сравнении с доступными на рынке чипами, изготовленными по 10-нанометровому техпроцессу, новые чипы могут дать на 40% большую работоспособность и на 0,75 наименьший расход энергии. По утверждению Харе, разработка показала, что отрасль производства чипов может демонстрировать постоянный прогресс каждые два-три года. Для создания новых чипов инженеры использовали уже испытанный метод фотолитографии в глубочайшем ультрафиолете (Extreme ultraviolet lithography, EUV, EUVL).