RSS канал
«Мы в своей работе демонстрируем магнито-электрическую ячейку памяти».
Группа исследователей подчеркивает, что новинка сочетают внутри себя высокую скорость функционирования обыкновенной «электронной» памяти, а еще довольно небольшое энергопотребление для магнитных информационных носителей, указывается в статье, расположенной на страницах Applied Physics Letters.
Данные научные поиски были обоснованы существующей проблемой в RAM — низкой энергоэффективностью, невзирая на то, что с течением времени скорости растут. Новая магнито-электрическая ОЗУ позволяет понизить трату энергии на запись и следующее прочтение данных в десятки тыс. раз.
Пока полупроводниковая ОЗУ остается единственным типом «быстрой» памяти, которая отыскала широкое применение среди всех типов вычислительных устройств. Конкурирующие оптические либо ферромагнитные технологии имеют серьезные недочеты, не позволяющие сделать их результативными с коммерческой точки зрения. В частности, этому препятствуют высокое тепловыделение, невозможность миниатюризации либо особенная чувствительность к условиям окружающей среды.
Разработка российско-французской группы ученых получила название MELRAM.
Основной проблемой всех магнитных систем записи и чтения информации, как отмечают ученые, является то, что ячейки магнитной памяти крайне трудно уменьшить, так как для их работы требуются очень чувствительные и достоверные датчики и источники магнитных полей.
Русским физикам удалось сделать новый продукт путем склеивания 2-х кусочков материалов, магнитные свойства которых изменяются при растягивании и сжатии. Пьезоэлектрики деформируются, ежели к ним приложить напряжение, и наоборот — создают напряжение, ежели их деформировать. Ученые склеили две части таковых материалов.
Отмечается, что для записи информации на этот вид оперативной памяти, необходимо пропустить ток через пьезоэлемент.
MELRAM, в отличие от актуальных на сегодняшний день ОЗУ, способна хранить данные вечно до первого чтения при маленьких размерах. Кроме того, их можно уменьшить до размеров транзисторов, так как для работы MELRAM не нужны внешние датчики магнитного поля.