RSS канал
Компания Самсунг Electronics передала о начале серийного выпуска первых в области микросхем памяти DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса 2-го поколения (1y нм). Чипы владеют емкостью 8 Гбит (1 ГБ) и созданы для применения в широком спектре вычислительных систем. Скорость передачи данных через один контакт у новых чипов составляет 3600 Мбит/с, тогда как у предшественников эта цифра не превышала 3200 Мбит/с. в конечном итоге общее превосходство по показателю работоспособность на ватт способно достигать 30%. Новый тип оперативки на 10% скорее 15% энергоэффективнее предшествующего. Они обеспечивают 30% прирост в производительности в сравнении с первым поколением 10 нм класса производства.
В Самсунг отмечают, что это стало возможным, благодаря новым решениям, в частности технологии проприетарного проектирования схем.
Как утверждается, новшества, освоенные в 10-нанометровой памяти DDR4 2-го поколения, дозволят ускорить выпуск новоиспеченной памяти DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6.
Вскоре на основе этих чипов будут производить память для телефонов, ноутбуков, планшетов, умных часов, компьютеров и остальных устройств.