Самсунг приступил к массовому производству 16-Гбит GDDR6

Самсунг Electronics передала, что ее производства приступили к массовому выпуску первой в индустрии 16-ГБ памяти GDDR6.

Для производства чипов GDDR6 компания Самсунг использует техпроцесс с нормами класса 10 нм. Шестое поколение стандарта обещает быть востребованным в видеокартах следующего поколения, игровых устройствах, серверах, а еще автомобильной электронике, сетевом оборудовании и системах с употреблением искусственного интеллекта. Они будут использоваться в видеокартах, консолях и серверах (там, где нужна высокая пропускная способность) следующего поколения.

Для производства применяется технологический процесс 10-нанометрового класса.

Новые чипы Самсунг GDDR6 изготавливаются согласно 10-нанометровому техпроцессу, работают при напряжении в 1,35 и характеризуются скоростью передачи информации в 18 Гбит/с на контакт. Вместе с Самсунг GDDR6 в 2018 начнут производить также SK Hynix и Micron. Если бы чипы GDDR6 выпускались с применением техпроцесса 2-го 10-нм поколения, то выход продукции оказался бы значительно больше.

В серию пошла память с пропускной способностью 18 Гбит/с на контакт. Обновленные модели чипов памяти для видеокарт владеют пропускной способностью в 72 гигабайта за секунду: вдвое большей, чем GDDR5. Кроме того, новые чипы потребляют менее энергии — 1.35 В против 1.55 В.