RSS канал
Самсунг Electronics анонсировала релиз 8-гигабайтных чипов памяти LPDDR5, выполненных по 10-нм техпроцессу.
В Самсунг Electronics подчеркнули, что профессионалы компании на 100% завершили функциональное тестирование и проверку прототипов микросхем LPDDR5 DRAM емкостью 8 ГБ, состоящей из 8 чипов 8Gb LPDDR5.
Повышение производительности стало возможным благодаря нескольким архитектурным усовершенствованиям. В сравнении с решениями прошлого поколения LPDDR4, выигрыш в энергопотреблении может достигать 30%. В 8Gb LPDDR5 также применяется продвинутая оптимизированная архитектура, которая обеспечивает высокую работоспособность.
Для экономии энергии микросхема была запрограммирована для совместной работы с прикладным процессором и, таким образом, уменьшения напряжения когда это необходимо для экономии энергии. Кроме того, память настроена так, чтобы избегать перезаписи ячеек со значениями «0». Чип предлагает «глубокий спящий режим», который уменьшает потребление энергии приблизительно до половины «режима ожидания» текущего LPDDR4X, так что потребление энергии снижается на 30 процентов, максимизируя работоспособность мобильных устройств и увеличивая время автономной работы телефонов. В следствии, 8Gb LPDDR5 обеспечит снижение потребления энергии до 30%.
В 2015 году Самсунг начала производство чипов памяти GDDR6, которые используют 10 нм техпроцесс и будут использовать в видеокартах.
Самсунг представила первую оперативную память LPDDR5, которая отличается рекордными показателями скорости передачи данных и энергоэффективности.