RSS канал
Южнокорейская компания SK Hynix выпустила новый тип модулей памяти на 8 ГБ, которые можно использовать в телефонах.
Модуль содержит 4 чипа DRAM на 2 ГБ со средней частотой 3733 МГц.
SK Hynix прибавила в каталог собственной продукции сборку микросхем памяти типа LPDDR4 ёмкостью 8 GB. Модуль памяти поставляется в корпусе типа FBGA-366 размером 15 x 15 мм и может быть использован как отдельно, так и в составе упаковки типа PoP (package-on-package).
В отличие от оперативной памяти на 8 Гб LPDDR4 от Самсунг, которая использует процесс производства 10нм, чип Hynix использует процесс производства 21нм, однако совместим со телефонами. Компания SK Hynix принимает заказы на сборку в корпусе FBGA-366 уже сейчас, а начиная с первого квартала 2017 года прибавит в семейство продукцию похожий модуль в упаковке FBGA-376 с иными напряжениями питания, передает echospb.ru.
Повышение спроса на память в мобильных устройствах и растущее проникновение твердотельных накопителей на рынках компьютеров и серверов подталкивают SK Hynix, Самсунг Electronics, Toshiba и иных вендоров к увеличению расходов на производство чипов. Он также поддерживает работу с флеш-памятью UFS NAND, его номинальное напряжение — 1,8/1,1 В. Подобные процессы происходят с акциями всех основных разработчиков памяти.
Появление первых телефонов и планшетов с 8 Гбайт оперативной памяти от SK Hynix ожидается в 2017 г. Обычно производители ОЗУ объявляют о старте продаж только после поставки первой коммерческой партии продукта (чего, видимо, пока не произошло). Один из них с номинальным напряжением 1,8 / 1,1 В готов к производству. По всей видимости, первые телефоны либо планшеты на базе данной сборки появятся на рынке в 2017 г.