RSS канал
Но компания IBM обнародовала планы по уменьшению размеров транзисторов вдвое.
Разработкой новинок IBM занимается в сотрудничестве с GlobalFoundries и Самсунг. Ранее, осенью 2015 г, IBM объявляла о создании чипов размером 7 нм, на которых размещено до 20 млрд транзисторов. По мнению Мура, при сохранении данной тенденции мощность вычислительных устройств за относительно короткий промежуток времени может вырасти экспоненциально. Как и 7-нанометровая, новая технология построена на применении литографии в жестком ультрафиолетовом спектре (EUV). Этот прототип включал около 20 млрд транзисторов на одном чипе размером с ноготь.
Сегодня самыми передовыми из используемых в FinFET-техпроцессах чипов являются 10-нанометровые устройства, содержащие 10-15 млрд транзисторов.
«Если сравнивать новый техпроцесс с десятинанометровым, то работоспособность пятинанометровых процессоров будет увеличена на сорок процентов, а энергоэффективность, соответственно, улучшится на семьдесят 5 процентов», — отмечают эксперты IBM.
В компании отмечают, что не менее высокая плотность размещения транзисторов в микросхеме увеличивает скорость прохождения сигнала между ними. По утверждению Мукеша Харе, разработка показала, что отрасль производства чипов может демонстрировать стабильный прогресс каждые два-три года.
На сей день на рынке доступны чипы, выполненные по 10-нанометровой технологии.